DRAM、NAND量產(chǎn)競爭
2017-11-23 15:29:29
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保存很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機數(shù)據(jù)就會丟失）。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得特別突出。隨著人們越來越追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
中國半導體發(fā)展風起云涌，購并、建廠消息不斷，在市場、國安等思量下，存儲器更是目前中國重點發(fā)展項目，成為多方人馬競爭的領域。中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何？有相關(guān)研究機構(gòu)做了圖表簡單解析。
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