今年DRAM 無新增產(chǎn)能 NAND Flash價(jià)格先降后升
2018-01-26 15:33:47
2017 年一整年,整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash都是一個(gè)黃金好年,那么2018 年能不能持續(xù)榮景呢?
綜合目前業(yè)界專業(yè)人士的看法,DRAM 熱度有望持續(xù)下去,供不應(yīng)求狀況還未改善,但NAND 部分恐怕就沒有那么樂觀了,由于大廠3D NAND 良率大幅度提升,供給過剩問題已經(jīng)提前在2017 年第四季爆發(fā),銷售額恐怕至少在2018 年上半年都不會(huì)太理想,最快也是2018 年第二季達(dá)到供需平衡,第三季再度供給吃緊,到時(shí)產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜。
首先就DRAM大方向來說,2018 年在Fab 端沒有新增產(chǎn)能,頂多就是制程從2X 奈米推進(jìn)到1X 奈米或是1Y 奈米,帶動(dòng)位元的成長(zhǎng)。市調(diào)單位集邦科技更是直接表示,2018 年各DRAM 廠資本支出計(jì)劃都比較保守,新增投片量約5~7%,這些新增產(chǎn)能都來自現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃與制程轉(zhuǎn)進(jìn)。
同時(shí)集邦也提到,隨著智能手機(jī)記憶體容量升級(jí),以及伺服器、資料中心需求量大,2018 年DRAM 需求將成長(zhǎng)約20.6%,供給端方面,估計(jì)將提升19.6%,因此,2018 年整體DRAM 產(chǎn)業(yè)供需持續(xù)吃緊,也因此,2018 年各大DRAM 廠商,包括三星、美光,SK 海力士,甚至連臺(tái)灣的南亞科、華邦電持續(xù)穩(wěn)定獲利不成問題。
但目前在DRAM 端有需要注意與觀察的一點(diǎn),首先,雖然2018 年整體DRAM 端無新增Fab 的產(chǎn)能出來,但是三星有計(jì)劃要在平澤(Pyeongtaek)興建第二座12 吋廠,SK 海力士也將在無錫興建第二座12 吋廠,這兩大廠的新廠產(chǎn)能最快2019 年才會(huì)開出。
但是韓媒在不斷的報(bào)導(dǎo),三星將在DRAM 端持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)出的消息,不斷動(dòng)搖市場(chǎng)對(duì)DRAM 產(chǎn)業(yè)的信心。韓媒特意提到,三星在平澤廠區(qū)的半導(dǎo)體廠是兩層樓建筑,二樓無塵室差不多完工,這些空間將投入DRAM 的擴(kuò)建,但是據(jù)記憶體業(yè)者的透露,這兩層樓中,有一層是投入3D NAND 的擴(kuò)產(chǎn),至于另外一層樓中,有意置入月產(chǎn)能五萬片的DRAM 產(chǎn)線,只是設(shè)備商也透露,三星還沒有下單采購(gòu)設(shè)備,因此所謂新增五萬片的DRAM 產(chǎn)能想在2018 年就開出,真的不太可能。
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DRAM NAND
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