8Mbit異步快速靜態SRAM芯片EMI508WF16
2024-07-22 10:14:31
偉凌創芯
EMI508WF16是一個容量8Mbit高速靜態隨機存取存儲器,采用先進的CMOS工藝、基于6-TR的電池技術制造,專為高速電路技術而設計。位寬16x512K字節。使用16個公共輸入和輸出線,并具有一個輸出使能引腳,其操作速度比讀取周期的地址訪問時間快。它特別適合用于高密度高速系統應用。
特性
•快速訪問時間8ns,10ns,12ns
•CMOS低功耗待機
•寬電源范圍:1.65V~3.6V
•TTL兼容輸入和輸出
•完全靜態運行
•三種狀態輸出
•數據字節控制(x8,x16模式)
•標準44TSOP2和48FBGA封裝
•工業操作溫度
•通過無鉛認證
快速異步型
SRAM,存取時間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。這些存儲器通常應用于老式系統中,且功耗較高。其典型應用包括老式PC L2高速緩沖存儲器、高速暫存器以及工業應用中的緩沖存儲器。英尚微代理提供快速異步型SRAM,可提供樣品測試。
本文關鍵詞:EMI508WF16,SRAM
上一篇文章:電機主控MCU系列SWM211
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