鐵電存儲(chǔ)器是在1952年發(fā)明的。貝爾實(shí)驗(yàn)室隨后于1955年構(gòu)建了一個(gè)集成的256位FRAM陣列，作為一個(gè)沒(méi)有有源半導(dǎo)體元件的單片器件，三年后，杰克·基爾比(JackKilby)拼湊起來(lái)并在德州儀器(TI)發(fā)明了第一個(gè)集成電路。20世紀(jì)80年代末，科羅拉多斯普林斯的一家名為Ramtron的公司完成了FRAM的早期商業(yè)化工作。
 
    FRAM的銷(xiāo)量似乎比所有其他新興內(nèi)存類(lèi)型的銷(xiāo)量總和還多。富士通在其地鐵票價(jià)卡RFID芯片中使用了FRAM，迄今為止已售出超過(guò)40億顆此類(lèi)芯片。
 
    FRAM利用某些晶格的獨(dú)特物理特性。在這些鐵電材料中，原子可以占據(jù)晶格內(nèi)兩個(gè)穩(wěn)定位置之一。電場(chǎng)將晶格內(nèi)的移動(dòng)原子移動(dòng)到兩個(gè)穩(wěn)定位置之一，具體取決于電場(chǎng)的極性和一些物理屬性（可能是電容或電阻），具體取決于被捕獲原子的位置。
 
    任何類(lèi)型的40億個(gè)芯片都是很多芯片，即使它被用作地鐵票價(jià)代幣，那么為什么FRAM經(jīng)過(guò)這么長(zhǎng)時(shí)間、在運(yùn)送了所有這些數(shù)十億個(gè)芯片之后仍然不為人知呢？半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)經(jīng)理不太喜歡鐵電材料，因?yàn)樗鼈兒性刂芷诒碓兀玢U或鉍，很容易污染晶圓廠(chǎng)。因此，F(xiàn)RAM作為非易失性嵌入式片上存儲(chǔ)器的用途有限。相關(guān)報(bào)告也指出，氧化鉿和氧化鋯也可以通過(guò)配制來(lái)表現(xiàn)出鐵電特性，而且這些材料已經(jīng)因其他原因在晶圓廠(chǎng)中使用，因此FRAM的未來(lái)故事很可能會(huì)繼續(xù)下去。


本文關(guān)鍵詞：鐵電存儲(chǔ)器,FRAM

相關(guān)文章：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性?xún)r(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。