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鐵電存儲器FRAM

2022-10-25 11:23:33

鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM,F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì),利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。
 
 
 
FRAM結(jié)構(gòu)圖
 
FRAM技術(shù)特點:
非易失性:斷電后數(shù)據(jù)不會丟失,是非易失性存儲器;
讀寫速度快:無延時寫入數(shù)據(jù),可覆蓋寫入;
壽命長:可重復讀寫,重復次數(shù)可達到萬億次,耐久性強,使用壽命長;
功耗低:待機電流低,無需后備電池,無需采用充電泵電路;
可靠性高:兼容CMOS工藝,工作溫度范圍寬,可靠性高。
 
FRAM產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標準的串行和并行接口,工業(yè)標準的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

本文關(guān)鍵詞:鐵電存儲器,FRAM

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