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國產并口PSRAM存儲芯片EMI164NA16LM

2021-03-11 10:05:11

EMI164NA16LM該設備是一個集成的存儲器設備,其中包含64Mbit靜態隨機存取存儲器,使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨的電源軌,VCCQ和VSSQ,用于從設備核心的單獨電源運行。
 
特征
•電源
-VCC和VCCQ電壓:3.0V(2.7V?3.6V)
•配置:64MB(4MBX16)
•讀取速度
-異步讀訪問:70ns
•低功耗
-異步操作:<30mA
-待機電流:<350UA(最大值)
•低功耗功能
-片上溫度補償自刷新(TCSR)
•工作溫度范圍:-40°C?+85°C(工業)
•包裝:48 TFBGA(6.0x7.0mm)
 
引腳封裝

 

48 TFBGA(6.0x7.0mm)
 
 
EMI164NA16LM該設備是67,108,864位pSRAM,使用DRAM型存儲器單元,但該器件具有無刷新操作和極端低功耗技術。接口與低功耗異步類型SRAM兼容。該設備組織為4,194,304字x16位。

 
圖2.功能框圖
 
功能描述
64MB設備包含67,108,864位DRAM核心,組織為16位的4,194,304個地址。該設備包括行業標準,在其他LOW Pexer SRAM產品上找到的異步內存接口

 
表1功能描述
 
1.當UB#和LB#處于選擇模式(低)時,DQ0?DQ15受到如圖所示的影響。
當僅LB#處于選擇模式時,DQ0?DQ7受到如圖所示的影響。只有UB#處于選擇模式時,DQ8?DQ15會受到如圖所示的影響。
2.當設備處于待機模式時,控制輸入(We#,OE#),地址輸入和數據輸入/輸出在內部與任何外部影響分離。
3.當我們#處于活動狀態時,OE#INPUT在內部禁用,對I/O沒有影響。
4.只要更改地址,設備將在此模式下消耗有效電源。
5.VIN=VCCQ或0V,所有器件引腳都是靜態(未切換的),以實現備用電流。
 
關于EMI
安徽偉凌創芯微電子有限責任公司(簡稱EMI)位于合肥市高新區,是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場專用芯片/小型藍牙SOC芯片/存儲芯片SRAM/PSRAM及整體解決方案,第一代產品涉及千兆/萬兆USB網口芯片以及音視頻接口芯片。提供創新、高品質、高性價比、 供貨持續穩定的芯片,并通過提供軟硬件Turnkey solution,降低客戶研發難度,縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。EMI代理英尚微電子支持提供產品相關技術支持。


本文關鍵詞: NOR Flash


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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商,十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導體品牌的專業分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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