美國微芯科技公司(Microchip)宣布，要發(fā)布四款業(yè)界容量最大、速度最快的新器件，擴充了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品，普遍應用于汽車和工業(yè)應用。這些1 Mb SPI 和512 Kb器件維持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝，成本較低，10,000片起批量供應。通過四路SQI或SPI協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度，為卸載圖形、數(shù)據(jù)記錄、數(shù)據(jù)緩沖、顯示、音頻、數(shù)學、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。
　  該系列中的還有另外兩個成員，分別是23LCV512和23LCV1024，通過電池備份提供了業(yè)內(nèi)無限耐用性、非易失性RAM最具成本效益的選擇。實際上，憑借其40 Mbps的快速雙SPI（SDI）吞吐量以及低運行電流和休眠電流，這些串行NVSRAM器件可以高速工作，沒有并行NVSRAM高引腳數(shù)的缺點，其功耗可于FRAM相媲美，并且價格更為低廉。這將有利于黑匣子、電表及其他數(shù)據(jù)記錄應用，這些應用需要無限耐用性或瞬時寫入以及非易失性存儲。
　  Microchip存儲器產(chǎn)品部副總裁Randy Drwinga表示：“在設(shè)計過程的某個階段，大多數(shù)嵌入式應用需要更大的RAM。這些最新的1 Mb SRAM使設(shè)計人員能夠以比轉(zhuǎn)而采用更大存儲容量單片機或處理器低得多的成本彌補這一不足，而且還比并行SRAM的功耗和成本更低、引腳數(shù)更少。對于需要非易失性RAM的應用，我們還首度增加了有電池備份的兩款器件，其成本明顯低于任何其他類型非易失性RAM。”　Drwinga補充道：“由于并行器件的成本、電路板空間占用和功耗都較高，EEPROM市場已經(jīng)完全轉(zhuǎn)向串行接口，而閃存市場正在迅速進行這一過渡。我們期望SRAM跟隨這一趨勢，Microchip的串行SRAM產(chǎn)品組合恰恰為嵌入式市場提供了令人信服的選擇。”
　　開發(fā)支持
　　Microchip正在開發(fā)一款PICtail子板，與其Explorer系列模塊化PIC單片機開發(fā)板及XLP 16位開發(fā)板配合使用。該子板預計在2013年2月推出。該子板將可演示Microchip最新串行SRAM系列易失性和非易失性器件的功能，幫助設(shè)計人員對這些器件進行快速評估。