Everspin Technologies MR25H40CDC串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時序，沒有寫入延遲，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲器不同，這些存儲器的讀/寫操作沒有寫入延遲。
對于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，這些Everspin MRAM可以說是理想的存儲器解決方案。此系列MRAM采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝封裝，并且都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。
MR25H40CDC能夠運(yùn)行于工業(yè)級（-40°至+85 °C）并在整個溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲能力，并可以保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失20年，已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸領(lǐng)域。
以下是Everspin串口MRAM的型號：
|
Density
|
Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃to+85℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR20H40CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40 ℃to +85℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR25H40MDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 4Mb | 512Kx8 | MR20H40CDFR | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃to+85℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 1Mb | 128Kx8 | MR25H10MDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256CDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDC | 8-DFN | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256CDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +85℃ |
| 256Kb | 32Kx8 | MR25H256MDF | 8-DFN sf | 3.3V | -40℃ to +125℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDF | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128ACDFR | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDF | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128APDFR | 8-DFN sf | 3.3v | -40 ℃to +85℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDF | 8-DFN sf | 3.3v | -40℃ to +125℃ |
| 128Kb | 16Kx8 | MR25H128AMDFR | 8-DFN sf | 3.3v | -40℃ to +125℃ |
本文關(guān)鍵詞：Everspin 串行MRAM
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