力晶:5G時代存儲器會長缺
2017-05-08 16:50:59
力晶創始人暨執行長黃崇仁表示,大陸政府扶植半導體產業以為斥巨資進行投資就可以,但將來使用補助研發費用來扶持新廠的策略很難再繼續,必須掌握技術才行。但現在存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器,包括合肥長鑫、紫光長江存儲和聯電的福建晉華,估計進軍大陸DRAM產業的腳、計劃會放緩,配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術,未來DRAM是長期缺貨的形勢!
黃崇仁進一步說明,5年來全球DRAM產業已經沒有新廠加入,三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND Flash產品線,DRAM產業已經沒有競爭了,真正的競爭戰場在晶圓代工產業。
他進一步指出,DRAM制程技術發展到20納米世代以下,進度會整個慢下來,過去透過技術制程微縮帶來的成本下降效應已經到達瓶頸,要增加產量只能再蓋新廠,但重新計算新機臺設備的折舊,只是會讓生產成本墊高,所以未來DRAM產業注定是供需吃緊。
再者,雖然個人電腦(PC)對于存儲器的用量越來越少,但服務器到未來5G時代,用掉大量的存儲器和存儲芯片,2018年韓國辦冬季奧運會率先展示5G技術,會將大量影片秒速上傳,背后需要龐大的存儲器容量做支撐,預計,隨著未來5G時代來臨,全球存儲器會面臨面臨長期性的大缺貨。
力晶同時也宣布和利基型存儲器(SDRAM)IC設計公司將合作技術開發,看好愛普團隊是英特爾(Intel)出身,力晶會支付設計費用和IP授權費給愛普。
談到力晶自己的營運狀況,黃崇仁自信滿滿地表示,2016年EPS達到2.97元,董事會已經通過配股息1元,預計2017年獲利可再攻100億元,達到5年獲利500億元的目標,重新掛牌上市不會等太久!
他也重申,力晶現在是晶圓代工廠,承襲日本技術是采用鋁制程,12吋廠可以自由轉換邏輯和存儲器生產線,可以隨著景氣波動而彈性變換產品線。
力晶目前12吋晶圓廠的產能全滿,2017年考慮再增加幾千片產能,制程技術會從30納米轉25納米或20納米制程。力晶現在有P1+P2廠房和P3廠,其中,P1+P2廠以晶圓代工為主,單月產能6~7萬片,存儲器代工占50%,其他代工產品有LCD Driver IC、電源管理芯片(PMIC)、感測器(Sensor)等。
再者,力晶P3廠單月產能快3萬片,是幫存儲器模組大廠金士頓(Kingston)做DRAM代工,機臺設備歸屬金士頓,以3x納米制程技術生產,預計2017年技術將轉進2x納米制程世代。
黃崇仁認為,放眼臺灣、日本、大陸、新加坡、韓國、美國這6個地方,臺灣的生產成本仍是最有競爭力的,以自己在大陸合肥蓋面板驅動芯片LCD Driver IC的12吋晶圓廠晶合的經驗,臺灣的生產效率和成本仍是較高。
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