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偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用；當(dāng)純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。
winbond華邦電子聚焦于中低容量產(chǎn)品，提供規(guī)格完整的串口式閃存（Serial Flash）和并行式閃存（Parallel Flash）產(chǎn)品以及PSRAM芯片產(chǎn)品，滿足小尺寸封裝規(guī)格，具有腳數(shù)低、體積小、成本低的特性；拓展應(yīng)用于行動裝置、消費電子，以及多樣性之車用電子、物聯(lián)網(wǎng)和穿戴裝置等應(yīng)用領(lǐng)域。winbond華邦電子運用技術(shù)自主之優(yōu)勢及謹慎規(guī)劃的產(chǎn)能策略，建立極具彈性的生產(chǎn)體系，并發(fā)揮產(chǎn)品組合相乘所產(chǎn)生之綜效，充分滿足客戶多元化需求、落實自有品牌之發(fā)展。該品牌非我司代理產(chǎn)品線
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