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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器,其原理是利用電子自旋的磁性結構,來提供不會產生損耗的非揮發特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息,以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。2006年,Everspin推出業界第一款商業化MRAM產品。今日,Everspin MRAM已廣泛用在數據存儲、工業自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子領域。
Everspin MR10Q01允許對存儲器進行隨機讀寫操作,而且沒有寫入延遲。適合于必須通過一小部分I/O引腳快速存儲數據和程序的應用。 不僅在讀寫耐久性方面表現出色,而且還擁有與串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序,并且沒有寫入延遲。
Density |
Part Number |
VDD |
VDDQ |
Speed |
Temp Rating |
Pack/Ship |
Package |
PDF下載 |
1Mb |
MR10Q010SC |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
16-SOIC |
暫無 |
1Mb |
MR10Q010SCR |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
暫無 |
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MR10Q010CSC |
3.3v |
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40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
16-SOIC |
暫無 |
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Industrial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
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Commercial |
Tray |
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暫無 |
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40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
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Industrial |
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Industrial |
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Extended |
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Extended |
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