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      偽靜態存儲器(Parrallel pSRAM)的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器(SRAM),即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器(PSRAM)及鐵電隨機存儲器(F—RAM)。PSRAM針對慢速SRAM應用;當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應用,在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得,在這種應用中可以提供卓越的性能。
ISSIISSI是一家專門設計,開發,銷售高性能PSRAM存儲芯片半導體產品的,PSRAM產品有8Mb/16Mb/32Mb/64Mb四種容量,封裝為BGA,可用于Internet存儲器件、網絡設備、遠程通訊和移動通訊設備、計算機外設等。可用JSC,VTI等品牌進行PIN to PIN替換兼容。該品牌非我司代理產品線


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